Dans ce travail nous nous sommes intéressés à la croissance et la diffusion superficielle de l'Aluminium sur un substrat de Silicium (400). Ce travail comporte deux parties : La première partie consiste à réaliser sous-vide et à température ambiante des dépôts de différentes épaisseurs d = 240, 510, 720, 870 et 1050 A°. Ces dépôts ont été analysés quantitativement par DRX...