Implantation, diffusion et activation des dopants dans le germanium

Implantation, diffusion et activation des dopants dans le germanium

Implantation, diffusion et activation des dopants dans le germanium
2010120 pagesISBN 9786131515989
Format: BrochéLangue : Français

Le germanium est un candidat pour la réalisation des futurs transistors MOS, du fait de la plus grande mobilité des porteurs par rapport au silicium. Il a été abandonné il y a une quarantaine d''années au profit du silicium et doit donc être redécouvert. Le but de ce travail est de comprendre les mécanismes mis en jeu au cours du dopage du germanium...

Ce livre est proposé par (0) membre(s)
Ce livre est mis en favori par (0) membre(s)