Ce travail traite de la croissance et des propriétés optiques d''hétérostructures GaN/AlN à champ électrique interne réduit, déposées sur SiC par épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma. Nous avons d''abord étudié les propriétés de structures GaN/AlN en phase wurtzite déposées sur SiC (11-20) ou plan a...