Nous étudions, par photoluminescence résolue en temps, des puits quantiques GaN/AlGaN, élaborés en épitaxie par jet moléculaire (EJM). Ces systèmes sont le siège de champs électriques internes de l'ordre du MV/cm, dus à la piézoélectricité et à la polarisation spontanée, qui influent fortement sur le temps de vie radiatif des excitons...