Le présent travail est consacré à l'analyse thermodynamique des processus physico-chimiques de croissance des couches épitaxiales du composé semi-conducteur Ga2Se3 à partir de la phase gazeuse dans le système d'écoulement Ga - Se - Cl - H et à la modélisation des processus technologiques pour la prévision des variantes technologiques possibles et la détermination des conditions optimales pour...