Ce mémoire traite de la fiabilité des composants MOS et des oxydes SiO2 ultra-minces. Le courant de fuite dans l''oxyde dû aux contraintes électriques est modélisé par un effet tunnel assisté par défauts, le claquage mou (soft-breakdown) par un amincissement local de l''oxyde et les fuites à basse tension comme un effet tunnel via des états d''interface...