Cette travail propose une nouvelle méthodologie pour l'étude de la fiabilité des TBHs en technologie SiGe. L'originalité de cette étude vient de l'utilisation d'une contrainte électromagnétique efficace et ciblée à l'aide du banc champ proche. Les caractérisations statiques ont montré la présence des courants de fuite à l'interface Si/SiO2...