Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs

Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs

Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs
201088 pagesISBN 9786131551390
Format: BrochéLangue : Français

Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l''industrie des composants électroniques, permet d''atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances...

Ce livre est proposé par (0) membre(s)
Ce livre est mis en favori par (0) membre(s)