Depuis plusieurs années, une recherche importante a été développée dans les domaines des applications des semi-conducteurs à large bande interdite tel que le ZnO en optoélectronique. Cet oxyde présente l'avantage d'avoir une grande énergie excitonique (60 meV) trois fois supérieure à celle de GaN (21 meV) ou de ZnS (20 meV)...