La réflexion en termes d'optimisation du stockage des données et des vitesses d'exécution a dernièrement conduit à de nouveaux critères de fonctionnement des mémoires électroniques du futur. Ces mémoires, tout en consommant très peu d'énergie, devront pouvoir assurer à la fois des fonctions d'archivage (conservation des données sur des périodes supérieures à 10 ans) et être capables d'effectuer des opérations logiques à très grande vitesse (temps de commutation de l'ordre de la nanoseconde).

De telles mémoires, dites SCM ( Storage Class Memory ), n'existent pas encore et font actuellement l'objet de recherches intensives.

Cet ouvrage présente les trois systèmes sur le point d'atteindre cet objectif : les mémoires magnétiques STT ( Spin Transfer Torque ), les mémoires à changement de phase (PCRAM) et les mémoires résistives (RRAM) à métallisation ou à changement de valence. Proposant une description détaillée des évolutions de la technologie existante, il analyse également l'émergence de concepts nouveaux susceptibles de conduire à des mémoires électroniques de type SCM.