Hétérostructures (Al,Ga)N/GaN sur silicium : Epitaxie par jets moléculaires : Applications composants

Éditeur: Presses Académiques Francophones
2014180 pagesISBN 9783838149790
Format: PocheLangue : Français
Ce travail concerne le développement et l'évaluation de nitrures d'éléments III épitaxiés sur substrat de silicium (111). L'objectif de notre travail était la réalisation et l'étude d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN en vue d'évaluer leurs potentialités pour deux types d'applications...
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