Cette thèse s''inscrit dans la thématique des MRAM, nouvelles mémoires non volatiles utilisant des propriétés originales de l''électronique de spin. Le but de ce travail a été principalement de démontrer qu''un nouveau concept de MRAM était possible afin de passer outre les limitations imposées par chacune des générations déjà existantes (TA-MRAM et STT-RAM)...