L'objectif de ce travail est la détermination des indices complexes, des fonctions diélectriques inconnues ainsi que l'analyse de l'effet d'incorporation des atomes d'azote et d'antimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, élaborées par la technique d'épitaxie par jets moléculaires (MBE), en utilisant la technique d'ellipsométrie spectroscopique...